Przedmiotem produktu jest technologia otrzymywania warstw tlenku cynku ZnO domieszkowanych pierwiastkami ziem rzadkich. Warstwy ZnO o grubości ~1 µm są hodowane metodą osadzania warstw atomowych (ang. Atomic Layer Deposition, ALD). Epitaksjalne warstwy, ZnO/GaN o strukturze krystalograficznej wurcytu wytwarzane są w temperaturze 300°C. Warstwy są następnie implantowane iterbem i dysprozem, przy czym cykle implantacji przeprowadzane są naprzemiennie z 3 min. wygrzewaniem w temperaturze 800^oC (metoda opatentowana - Patent PL-232774 (wg zgłoszenia P.413924 z 11.09.2015), Sposób domieszkowania tlenku cynku (ZnO) jonami pierwiastków ziem rzadkich (RE)). Tego rodzaju warstwy mogą zostać wykorzystane jako luminofor albo jako aktywny optycznie element diody elektroluminescencyjnej.
 

Parametry epitaksjalnych warstw ZnO oraz technologii ich produkcji:

Grubość warstwy: 300 nm – 1 µm
Temperatura wzrostu: 300 °C
Struktura krystalograficzna: wurcyt
RMS: 9 - 10 nm
Maksymalna wielkość podłoża: 2 cale