Aktualności
Fizyka przed Wyzwaniami Cywlizacyjnymi

17 stycznia 2019,
Instytut Fizyki PAN
CTT IFPAN
Centrum Transferu Technologii
Instytutu Fizyki PAN
Usługi technologiczne - Technologia wytwarzania warstw ZnO implantowanych pierwiastkami ziem rzadkich

Przedmiotem produktu jest technologia otrzymywania warstw tlenku cynku ZnO domieszkowanych pierwiastkami ziem rzadkich. Warstwy ZnO o grubości ~1 µm są hodowane metodą osadzania warstw atomowych (ang. Atomic Layer Deposition, ALD). Epitaksjalne warstwy, ZnO/GaN o strukturze krystalograficznej wurcytu wytwarzane są w temperaturze 300°C. Warstwy są następnie implantowane iterbem i dysprozem, przy czym cykle implantacji przeprowadzane są naprzemiennie z 3 min. wygrzewaniem w temperaturze 800oC (metoda opatentowana - Patent PL-232774 (wg zgłoszenia P.413924 z 11.09.2015), Sposób domieszkowania tlenku cynku (ZnO) jonami pierwiastków ziem rzadkich (RE)). Tego rodzaju warstwy mogą zostać wykorzystane jako luminofor albo jako aktywny optycznie element diody elektroluminescencyjnej.
 

Parametry epitaksjalnych warstw ZnO oraz technologii ich produkcji:

Grubość warstwy: 300 nm – 1 µm
Temperatura wzrostu: 300 °C
Struktura krystalograficzna: wurcyt
RMS: 9 - 10 nm
Maksymalna wielkość podłoża: 2 cale

Diagram chromatyczności (x,y CIE diagram) pokazujący współrzędne chromatyczne luminescencji warstwy ZnO:(Dy, Yb).


Osoby do kontaktu: Elżbieta Guziewicz - guzel@ifpan.edu.pl
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Aleja Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
tel.: (+48) 22 843 70 01 | fax: (+48) 22 843 09 26 | www.ifpan.edu.pl
NIP: 525-000-92-75, Regon: 000326061