Przedmiotem produktu jest technologia otrzymywania epitaksjalnych warstw tlenku cynku (ZnO) metodą osadzania warstw atomowych (ang. Atomic Layer Deposition, ALD). Epitaksjalne warstwy tlenku cynku, ZnO, o strukturze krystalograficznej wurcytu wytwarzane są na komercyjnie dostępnym podłożu azotku galu, GaN, o grubości 3 µm osadzonym na szafirze (Al2O3) w temperaturze 300°C. Dzięki zastosowanemu trawieniu chemicznemu usunięta zostaje warstwa tlenku galu z powierzchni GaN. Warstwy wytwarzane tą metodą charakteryzują się jednorodnością i ciągłością, chropowatość powierzchni ZnO wynosi 8-10 nanometrów (parametr RMS), a parametr kanałowania χmin mierzony za pomocą wstecznego rozpraszania Rutherforda wynosi poniżej 4%. Jakość warstw pokazują mapy rentgenowskie (Rys.), które pokazują szerokość połówkową refleksów poniżej 0.15o (patrz Rys. 1).
Grubość warstwy ZnO zależy od ilości cykli procesu ALD i może zmieniać się w granicach od 300 nm do ok. ~1 µm. Warstwy przeznaczone są do zastosowań w optoelektronice.
Grubość warstwy: 300 nm – 1 µm
Temperatura wzrostu: 300 °C
Struktura krystalograficzna: wurcyt
RMS: 9 - 10 nm
Maksymalna wielkość podłoża: 2 cale (średnica)
Mapa refleksów rentgenowskich (ang. Reciprocal Space Map, RSM) dla warstwy ZnO/GaN otrzymanej w technologii ALD – mapa refleksu asymetrycznego -11.4 (FWHM=0.15o). |
Mapa refleksów rentgenowskich (ang. Reciprocal Space Map, RSM) dla warstwy ZnO/GaN otrzymanej w technologii ALD – mapa refleksu symetrycznego 00.2 (FWHM = 0.11o). |