Przedmiotem produktu jest technologia otrzymywania epitaksjalnych warstw tlenku cynku (ZnO) metodą osadzania warstw atomowych (ang. Atomic Layer Deposition, ALD). Epitaksjalne warstwy tlenku cynku, ZnO, o strukturze krystalograficznej wurcytu wytwarzane są na komercyjnie dostępnym podłożu azotku galu, GaN, o grubości 3 µm osadzonym na szafirze (Al₂O₃) w temperaturze 300°C. Dzięki zastosowanemu trawieniu chemicznemu usunięta zostaje warstwa tlenku galu z powierzchni GaN.   Warstwy wytwarzane tą metodą charakteryzują się jednorodnością i ciągłością, chropowatość powierzchni ZnO wynosi 8-10 nanometrów (parametr RMS), a parametr kanałowania χ_min mierzony za pomocą wstecznego rozpraszania Rutherforda wynosi poniżej 4%. Jakość warstw pokazują mapy rentgenowskie (Rys.), które pokazują szerokość połówkową refleksów poniżej 0.15^o (patrz Rys. 1).

Grubość warstwy ZnO zależy od ilości cykli procesu ALD i może zmieniać się w granicach od 300 nm do ok.  ~1 µm. Warstwy przeznaczone są do zastosowań w optoelektronice.

Parametry epitaksjalnych warstw ZnO oraz technologii ich produkcji:

Grubość warstwy: 300 nm – 1 µm
Temperatura wzrostu: 300 °C
Struktura krystalograficzna: wurcyt
RMS: 9 - 10 nm
Maksymalna wielkość podłoża: 2 cale (średnica)