Aktualności
Warsztaty z cyklu "Transfer Technologii – aspekty IPR – środowisko"
16-17 marca 2018, Jachranka
CTT IFPAN
Centrum Transferu Technologii
Instytutu Fizyki PAN
Charakteryzacja - Transmisyjna Mikroskopia Elektronowa (TEM)

Opis

W Pracowni Mikroskopii Elektronowej (PME) prowadzone są badania struktury krystalicznej oraz składu pierwiastkowego ciał stałych. Na wyposażeniu pracowni jest transmisyjny mikroskop elektronowy FEI Titan Cubed 80-300 oraz dwuwiązkowy mikroskop skaningowy FEI Helios-NanoLab. Titan Cubed 80-300 jest nowoczesnym przyrządem pozwalającym na charakteryzację struktury krystalicznej oraz elektronowej metali, półprzewodników oraz obiektów biologicznych. Helios-NanoLab 600 przeznaczony jest do wykonywania preparatów dla transmisyjnej mikroskopii elektronowej jak i do innych zadań, takich jak wyznaczanie składu pierwiastkowego metodą (EDXS), czy nanolitografii skupioną wiązką jonów galu (FIB). W PME wykonywane dwie procedury badawcze posiadające akredytację PCA.

Metody

  • Transmisyjna Mikroskopia Elektronowa (TEM) oraz Wysokorozdzielcza TEM (HRTEM)

  • Skaningowa Transmisyjna Mikroskopia Elektronowa,  Z-contrast

  • Mikroanaliza EDX
  • Obrazowanie przy użyciu elektronów z wybranego zakresu energii (EFTEM)
  • Holografia elektronowa
  • Mikroskopia Lorentza

 

Parametery

  • Napięcia przyspieszające: 80 - 300 kV

  • Rozdzielczość punktowa (HRTEM): 90 pm

  • Rozdzielczość STEM/HAADF: 0.136 nm

  • Rozdzielczość w trybie Lorentza 5 nm

  • Rozdzielczość energetyczna 0.2 eV dla 300 kV

  • Dwupochyłowy uchwyt chłodzony LN2

  • Preparatyka próbek z wykorzystaniem trawienia jonowego: Ar+, 200-6keV, 0-10o, chłodzenie LN2

  • Rozmiary próbki: średnica 3.05 mm, grubość max 0.34 mm

 

Badane materiały

półprzewodnikowe struktury eptaksjalne (GaN, Si, Ga(Mn)As, CdZnTe, SnPbTe,  SiC on Si), materiały dla spintroniki ((Ga, Mn)Sb, (Cu, Co)ZnO, (Cd, Zn, Mn, Mg)Te, (Mg,Zn)Se), nanodruty (ZnTe,  ZnTe/CdTe  , GaAs, (In, Mn)GaAs, SnPbTe), nanoproszki (ZnO, Ag, Au, Pd, Pt, Fe2O3, Fe3O4), biologiczne materiały.

 

 

 

Mikroskop FEI Titan Cubed 80-300 oraz FEI Helios‑NanoLab.

Wysokorozdzielczy obraz przedstawiający strukturę rdzenia dyslokacji niedopasowania na międzypowierzchni GaAs/GaSb (Titan 80-300).

Wycinanie lameli z cienkiej warstwy kompozytu węgielowo-platynowego (Helios‑NanoLab).


Osoby do kontaktu: prof. nzw. dr hab. Piotr Dłużewski, e-mail: dluzew@ifpan.edu.pl, tel: (+48) 22 116 33 83
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Aleja Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
tel.: (+48) 22 843 70 01 | fax: (+48) 22 843 09 26 | www.ifpan.edu.pl
NIP: 525-000-92-75, Regon: 000326061