Opis

Cienkie warstwy tlenku cynku (ZnO) są wykonywane metodą osadzania warstw atomowych (ALD) na podłożu azotku galu (GaN). Materiał powstaje w procesie chemicznym w trakcie reakcji podwójnej wymiany z dwóch reagentów (prekursorów) takich jak woda dejonizowana (prekursor tlenowy) oraz dietylocynk - DEZ (prekursor cynkowy). Związek może być otrzymywany w zakresie temperatur od 250°C do 300°C. Maksymalna wielkość podłoża wynosi 20 cm średnicy.

Parametry

• Grubość: 400 - 3000 nm
• Tempo wzrostu: 0.4 nm/min
• Ruchliwość: 120 - 200 cm²/Vs
• Koncentracja nośników: 10¹⁸- 10¹⁹ cm^-3
• Typ nośników: n
• Przerwa energetyczna: 3.4 eV
• Chropowatość powierzchni: RMS <10 nm
• Fotoluminescencja niskotemperaturowa (FWHM linii ekscytonowej): 4meV
• FWHM krzywej odbić refleksu 00.2: 0.068°
• Jednorodność pokrycia

Zastosowania

ZnO i GaN są materiałami półprzewodnikowymi badanymi dla wielu zastosowań np.: w elektronice, optoelektronice, biologii i medycynie. Własności fizyczne i chemiczne tlenku cynku oraz azotku galu powodują, że półprzewodniki te mogą być stosowane jako diody elektroluminescencyjne (LED), czujniki, przezroczyste urządzenia elektroniczne oraz komórki słoneczne. Detektory światła z zakresu głębokiego ultafioletu (UV) oparte na homozłączu  typu n-GaN/p-GaN są aktualnie szeroko badane. Pomimo faktu, że LED-y, diody laserowe i detektory wykorzystujące w swojej budowie GaN są dostępne w handlu, niektóre z ich właściwości wymagają dalszych ulepszeń. Nasze wstępne badania pokazują, że detektory UV oparte na ZnO mogą być nie tylko bardziej czułe, ale znacznie tańsze niż te na GaN.

Zgłoszenie patentowe:  P.395334 (27-06-2011)