Aktualności
Fizyka przed Wyzwaniami Cywlizacyjnymi

17 stycznia 2019,
Instytut Fizyki PAN
CTT IFPAN
Centrum Transferu Technologii
Instytutu Fizyki PAN
Materiały - Ogniwa fotowoltaiczne oparte o ZnO

 

Opis

Opracowaliśmy proste ogniwa fotowoltaiczne oparte o warstwy tlenku cynku wzrastane metodą osadzania warstw atomowych (ALD) na tanich podłożach krzemowych typu p. Jako górną przezroczystą przewodzącą elektrodę wybraliśmy tlenek cynku domieszkowany glinem. Zoptymalizowane ogniwa na powszechnie wykorzystywanym krzemie w przemyśle fotowoltaicznym pokazały sprawność 6 %.

 

Parametry

  • Temperatury wzrostu: 160oC
  •  Maksymalna wielkość podłoża: 20 cm średnicy
  • Grubość warstwy ZnO: 1600 nm
  • Elektryczne parametry warstwy ZnO:

                   n=1.6x1019 cm-3

                   ρ=1.8x10-2 Ωcm

  • Grubość warstwy ZnO:Al: 300 nm
  • Elektryczne parametry warstwy ZnO:Al:

                   n=3.6x1020 cm-3

                   ρ=1.2x10-3 Ωcm

  • Jednorodne pokrycie podłóż o bardzo rozbudowanej (trójwymiarowej) powierzchni
  • Kontrolowany wzrost w skali nanometrowej

Schemat badanego ogniwa fotowoltaicznego.

Charakterystyka prądowo-napięciowa oświetlonego ogniwa fotowoltaicznego.

Odpowiedź spektralna ogniwa fotowoltaicznego.


Osoby do kontaktu: prof. Marek Godlewski, e-mail: godlew@ifpan.edu.pl, tel: (+48) 22 116 32 57
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Aleja Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
tel.: (+48) 22 843 70 01 | fax: (+48) 22 843 09 26 | www.ifpan.edu.pl
NIP: 525-000-92-75, Regon: 000326061