Aktualności
Fizyka przed Wyzwaniami Cywlizacyjnymi

17 stycznia 2019,
Instytut Fizyki PAN
CTT IFPAN
Centrum Transferu Technologii
Instytutu Fizyki PAN
Materiały - Struktury diodowe p-n pod selektywny detektor UV

Opis

Opracowano detektor UV, pracujący na bazie heterostruktury diodowej p-n, gdzie jako warstwę typu n zastosowano azotek galu GaN, a jako warstwę typu p tlenek cynku ZnO. Oba materiały są przeźroczyste dla światła widzialnego. W detektorze zastosowano komercyjne podłoża GaN/Al2O3 oraz warstwy ZnO wykonane metodą epitaksji z wiązek molekularnych MBE, domieszkowane pierwiastkami grupy V (arsenem, azotem, antymonem). Uzyskana struktura jest wysoce selektywna na detekcję promieniowania UV, detekcja możliwa jest w obszarze 350-375 nm. Możliwa jest detekcja bez przyłożonego zewnętrznego napięcia. Różnica pomiędzy prądem ciemnym a prądem jasnym wynosi 3-4 rzędy wielkości.

 

Parametry

  • Max detekcji 362 nm FWHM 12 nm

  • Iuv/Idark ~103-104

  • Napięcie otwarcia 1.5-3 V

  • Napięcie przebicia większe niż 20V

  • Czas reakcji ≪ 1m

 

Zastosowania

Detektory UV znajdują zastosowanie w systemach ochrony środowiska, na przykład w wykrywaniu na akwenach wodnych obecności związków oleju. Systemy takie są także często wykorzystywane do monitorowania nieszczelności instalacji tankowania samolotów na lotniskowcach. Detektory mogą posłużyć do budowy linijek i matryc selektywnie detekujacych różne długości promieniowania.

 

Zgłoszenie patentowe: P.403520, P.399789

Charakterystyka prądowo-napięciowa diody przed i po oświetleniu.

Fotoprąd w funkcji długości fali i wstecznego napięcia

Reakcja detektora na impuls światła UV w okolicy max detekcji.


Osoby do kontaktu: prof. Adrian Kozanecki, e-mail: kozana@ifpan.edu.pl, tel: (+48) 22 116 33 21
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Aleja Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
tel.: (+48) 22 843 70 01 | fax: (+48) 22 843 09 26 | www.ifpan.edu.pl
NIP: 525-000-92-75, Regon: 000326061