CTT IFPAN
Centrum Transferu Technologii
Instytutu Fizyki PAN
Instytutu Fizyki PAN
Usługi technologiczne - Fizyczne osadzanie z fazy gazowej (PVD)
Opis
Fizyczne osadzanie z fazy gazowej (ang. Physical Vapour Deposition, PVD) umożliwa wykonane cienkich warstw przy wykorzystaniu zjawisk fizycznych takich jak rozpylanie magnetronowe lub katodowe. Procesy wzrostu prowadzone w wysokiej próżni polegają na krystalizacji nakładanego materiału na powierzchni podłoża.
Parametry
- Temperatury wzrostu: 25 - 350oC
- Maksymalna wielkość podłoża: 20 cm średnicy
- Grubość warstwy: 10 - 3000 nm
- Tempo wzrostu: 0.5 - 15 nm/min
- Kontrolowany wzrost w skali nanometrowej
Zastosowania
Naparowane metaliczne kontakty (Au, Ni, Pt, Ag, Ti itp.) są z sukcesem wykorzystywane w strukturach elektronicznych, optoelektronicznych, a także fotowoltaicznych. Metodę stosujemy również do osadzania cienkich warstw tlenkowych tj. ZnO, ZnO:Al itp.
Reaktor PVD. |
Powierzchnia na połączeniu warstwy złota i wartwy tlenkowej wykonanych za pomocą rozpraszania katodowego. |
Jednorodna warstwa złota wykonana na stalowym podłożu. |
Osoby do kontaktu: prof. Marek Godlewski, e-mail: godlew@ifpan.edu.pl, tel: (+48) 22 116 32 57
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Aleja Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
tel.: (+48) 22 843 70 01 | fax: (+48) 22 843 09 26 | www.ifpan.edu.pl
NIP: 525-000-92-75, Regon: 000326061
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Aleja Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
tel.: (+48) 22 843 70 01 | fax: (+48) 22 843 09 26 | www.ifpan.edu.pl
NIP: 525-000-92-75, Regon: 000326061