Opis

Technika osadzania warstw atomowych (ALD) jest odmianą metody chemicznego osadzania z fazy pary (ang. Chemical Vapor Deposition, CVD) i polega na naprzemiennym podawaniu gazowych reagentów (zwanych prekursorami) do komory reakcyjnej. Na podłożu w wyniku reakcji chemicznej jest osadzana warstwa danego materiału. Osadzanie materiału odbywa się w cyklach, z których każdy składa się z czterech etapów: podawanie pierwszego prekursora, przedmuchiwanie komory gazem obojętnym (N₂), podawanie drugiego prekursora, przedmuchiwanie komory gazem obojętnym. Celem takiego przedmuchiwania komory jest usunięcie nieprzereagowanych resztek prekursora i produktów ubocznych reakcji chemicznych. W systemie ALD warstwy mogą powstawać na skutek reakcji syntezy, pojedynczej lub podwójnej wymiany chemicznej, w zależności od rodzaju zastosowanych prekursorów.

Parametry

• Posiadamy trzy reaktory ALD
• Temperatury wzrostu: 25 - 500^oC
• Maksymalna wielkość podłoża: 20 cm średnicy
• Grubość warstwy: 10 - 3000 nm
• Tempo wzrostu: ~0.4 nm/min
• Jednorodne pokrycie dużych powierzchni
• Jednorodne pokrycie podłóż o bardzo rozbudowanej (trójwymiarowej) powierzchni
• Kontrolowany wzrost w skali nanometrowej

Zastosowania

Użycie metody ALD przez firmę Intel zrewolucjonizowało przemysł elektroniczny. Postęp w miniaturyzacji i wprowadzenie do produkcji trzech nowych generacji układów scalonych w standardach 45 nm, 32 nm oraz najnowszym 22 nm stało się możliwe dzięki wykorzystaniu technologii ALD do wytwarzania tlenków izolacyjnych. Metoda ta doskonale nadaje się do osadzania tlenków izolujących w strukturach elektronicznych (tj. tranzystory, pamięci półprzewodnikowe), warstw półprzewodnikowych oraz przezroczystych elektrod w urządzeniach elektronicznych i fotowoltaicznych, a także warstw o właściwościach ferroelektrycznych. Technologia ALD pozwala w kontrolowany sposób wzrostu otrzymywać warstwy monokrystaliczne, polikrystaliczne lub amorficzne.