Aktualności
Fizyka przed Wyzwaniami Cywlizacyjnymi

17 stycznia 2019,
Instytut Fizyki PAN
CTT IFPAN
Centrum Transferu Technologii
Instytutu Fizyki PAN
Materiały - Ogniwa fotowoltaiczne bazujące na nanosłupkach
i warstwach ZnO

 

Opis

Opracowaliśmy hydrotermalną metodę wzrostu nanosłupków tlenku cynku (ZnONR) na krystalicznych podłożach dla zastosowań w przemyśle fotowoltaicznym. Przede wszystkim do wytwarzania tanich struktur baterii słonecznych. W tym celu wytwarzamy ogniwa fotowoltaiczne (PV) na tanim krzemie p‑typu, który jest powszechnie używany w przemyśle. Na tych podłożach osadzamy nanosłupki, następnie pokrywane (w procesie ALD) warstwą ZnO i górną warstwą kontaktową ZnO:Al (AZO). Otrzymane ogniwa fotowoltaiczne wykazały sprawność 12 %.

 

Parametry

  • Temperatury wzrostu: 300oC
  •  Maksymalna wielkość podłoża: 20 cm średnicy
  • Grubość warstwy ZnO: 800 nm
  • Elektryczne parametry warstwy ZnO:

                   n=1.6x1019 cm-3

                   ρ=1.8x10-2 Ωcm

  • Grubość warstwy ZnO:Al: 300 nm
  • Elektryczne parametry warstwy ZnO:Al:

                   n=3.6x1020 cm-3

                   ρ=1.2x10-3 Ωcm

  • Jednorodne pokrycie podłóż o bardzo rozbudowanej (trójwymiarowej) powierzchni
  • Kontrolowany wzrost w skali nanometrowej

Schemat badanego ogniwa fotowoltaicznego.

Charakterystyka prądowo-napięciowa oświetlonego ogniwa fotowoltaicznego.

Odpowiedź spektralna ogniwa fotowoltaicznego.


Osoby do kontaktu: prof. Marek Godlewski, e-mail: godlew@ifpan.edu.pl, tel: (+48) 22 116 32 57
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Aleja Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
tel.: (+48) 22 843 70 01 | fax: (+48) 22 843 09 26 | www.ifpan.edu.pl
NIP: 525-000-92-75, Regon: 000326061