Aktualności
Fizyka przed Wyzwaniami Cywlizacyjnymi

17 stycznia 2019,
Instytut Fizyki PAN
CTT IFPAN
Centrum Transferu Technologii
Instytutu Fizyki PAN
Materiały - Warstwy tlenku glinu

Opis

Cienkie warstwy tlenku glinu określanego także jako tritlenek diglinu (Al2O3) są wykonywane metodą osadzania warstw atomowych (ALD) na dowolnym podłożu (np.: Si, GaN, SiC, grafen, SiO2 itp). Materiał powstaje w procesie chemicznym w trakcie reakcji podwójnej wymiany z dwóch reagentów (prekursorów) takich jak woda dejonizowana (prekursor tlenowy) oraz trimetylaluminum - TMA (prekursor glinowy). Związek może być otrzymywany w zakresie temperatur od 25°C do 300°C. Maksymalna wielkość podłoża wynosi 20 cm średnicy.

 

Parametry

  • Grubość: 10 - 3000 nm
  • Tempo wzrostu: 0.2 nm/min
  • Oporność: > 1010 Ωcm
  • Przerwa energetyczna: 6.3 eV
  • Współczynnik załamania: 1.6 (635 nm)
  • Względna przenikalność elektryczna: 10±3
  • Chropowatość powierzchni: 0.2 nm < RMS < 5 nm
  • Struktura: warstwy amorficzne
  • Średnia transmisja w zakresie widzialnym: >80%
  • Jednorodność pokrycia

 

Zastosowania

Al2O3 ze względu na swoje właściwości optyczne, elektryczne i strukturalne może być z powodzeniem stosowany jako izolator w urządzaniach elektronicznych, w szczególności w obszarze tzw. "przezroczystej elektroniki", jako powłoki optyczne o wysokim współczynniku załamania w laserach i mikroskopach, a także jako warstwy barierowe czy zabezpieczające w strukturach fotowoltaicznych. Ponadto materiał ten może znależć zastosowanie w medycynie i stomatologii w procesie produkcji protez oraz implantów.

Jednorodna warstwa tlenku glinu na krzemowym podłożu o średnicy 20 cm.

Zdjęcie przekroju poprzecznego warstwy Al2O3 na krzemowym podłożu wykonane za pomocą skaningowego mikroskopu elektronowego (SEM).

Obraz powierzchni tlenku glinu (RMS: 0.2 nm) na krzemowym podłożu wykonany mikroskopem sił atomowych (AFM).


Osoby do kontaktu: prof. Marek Godlewski, e-mail: godlew@ifpan.edu.pl, tel: (+48) 22 116 32 57
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Aleja Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
tel.: (+48) 22 843 70 01 | fax: (+48) 22 843 09 26 | www.ifpan.edu.pl
NIP: 525-000-92-75, Regon: 000326061